第一代
主要材料：
鍺（Ge）、硅（Si）等單元素半導體
發展過程：
上世紀五、六十年代逐步應用於晶體管
主要應用：
低電壓、低頻、中功率晶體管和光電探測器
第二代
砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體
上世紀八十年代逐步發展起來
衛星通信、移動通信、光通信和GPS導航等
第三代
主要代表是氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）
上世紀九十年代開始逐步發展
高電壓、高頻、高功率的電力電子、電源管理等
