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攻克高能離子加速 國產芯片技術突破

時間:2020-06-28 04:24:33來源:大公報

  【大公報訊】據中新社報道:作為芯片製造核心關鍵裝備,由中國電子科技集團有限公司(中國電科)旗下電科裝備自主研製的高能離子注入機,已成功實現百萬電子伏特高能離子加速,其性能達國際主流先進水平。

  中國電科旗下電科裝備離子注入機總監張叢表示,電科裝備將在年底前推出首台高能離子注入機,實現中國芯片製造領域全系列離子注入機自主創新發展,並將為全球芯片製造企業提供離子注入機成套解決方案。

  據了解,離子注入機是芯片製造中至關重要的核心關鍵裝備。在芯片製造過程中,需摻入不同種類元素以按預定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子形式被加速至預定能量並注入至特定半導體材料中。離子注入機即是執行這一摻雜工藝的芯片製造設備。

  高能離子注入機是離子注入機中技術難度最大的機型,長久以來,因其極大的研發難度和較高的行業競爭壁壘,被稱為離子注入機領域的「珠穆朗瑪峰」,是中國集成電路製造裝備產業鏈上亟待攻克的關鍵一環。

  中國電科介紹說,旗下電科裝備,此前已連續突破中束流、大束流、特種應用及第三代半導體等離子注入機產品研發及產業化難題,產品廣泛服務於全球知名芯片製造企業。

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